応用情報技術者平成30年春期 午前問10

問10

NAND型フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
  • バイト単位で書込み,ページ単位で読出しを行う。
  • バイト単位で書込み及び読出しを行う。
  • ページ単位で書込み,バイト単位で読出しを行う。
  • ページ単位で書込み及び読出しを行う。

分類

テクノロジ系 » コンピュータ構成要素 » メモリ

正解

解説

フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切っても記憶内容が消えない不揮発性のメモリです。NAND型フラッシュメモリは、USBメモリやSDカード及びSSD等の記憶媒体として使われているタイプで、NOR型フラッシュメモリよりも集積度に優れ、安価に大容量化できる特徴があります。

NAND型フラッシュメモリでは、データの書込み及び読出しはページ単位、データの消去はブロック単位(ページを複数まとめた単位)で行います。したがって「エ」が正解です。
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